企业简介
上海华力微电子有限公司 main business:开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产品，从事货物及技术的进出口业务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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上海华力微电子有限公司的工商信息
- 310000000098113
- 913100005500570876
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(外商投资企业与内资合资)
- 2010年01月18日
- 张素心
- 2190000.000000
- 2010年01月18日 至 2060年01月17日
- 自由贸易试验区市场监管局
- 2010年01月18日
- 中国（上海）自由贸易试验区高斯路568号
- 开发、设计、加工、制造和销售集成电路和相关产品，从事货物及技术的进出口业务。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海华力微电子有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 上海华力微电子有限公司 | www.hlmc.cn |
上海华力微电子有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 8817981 |  |
HLMC | 2010-11-08 | 推销(替他人)；进出口代理；组织商业或广告交易会；商业信息代理；半导体处理设备的推销(替他人)；半导体、晶片、集成电路的推销(替他人)；通过互联网推销(替他人)；通过互联网替他人推销商品；市场分析；数据通讯网络上的在线广告 | 查看详情 |
| 2 | 8818130 |  |
华力 | 2010-11-08 | 研究与开发(替他人);技术项目研究;工程;工业品外观设计;计算机编程;计算机硬件咨询;关于电子晶片、半导体、晶片(硅晶片)或IC加工及其所需零组件、机器及其运 | 查看详情 |
| 3 | 8817977 |  |
华力微 | 2010-11-08 | 研究与开发(替他人)；技术项目研究；工程；工业品外观设计；计算机编程；计算机硬件咨询；关于电子晶片、半导体、晶片(硅晶片)或IC加工及其所需零组件、机器及其运作系统等电脑应用软件的设计；计算机软件设计；集成电路的设计；半导体晶片的设计；光罩的设计；半导体或集成电路等相关材料及产品的测试；有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路的研究服务(替他人)；有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路的定做设计服务；有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路的测试服务；技术研究(有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路)；工业品外观设计(有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路)；半导体和集成电路设计(为他人)；材料测试(有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路)；技术研究咨询服务；材料测试咨询服务；工业品外观设计咨询服务；计算机程序的数据和数据转换(非有形转换)；掩膜片设计；工程绘图；物理研究 | 查看详情 |
| 4 | 8818131 |  |
HLMC | 2010-11-08 | 研究与开发(替他人)；技术项目研究；工程；工业品外观设计；集成电路的设计；半导体晶片的设计；光罩的设计；半导体或集成电路等相关材料及产品的测试；有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路的研究服务(替他人)；有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路的定做设计服务；有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路的测试服务；技术研究(有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路)；工业品外观设计(有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路)；半导体和集成电路设计(为他人)；材料测试(有关电气和电子产品、半导体、半导体系统、半导体单元库、晶片和集成电路)；技术研究咨询服务；材料测试咨询服务；工业品外观设计咨询服务；掩膜片设计；工程绘图；物理研究 | 查看详情 |
| 5 | 8817982 |  |
华力微 | 2010-11-08 | 推销(替他人)；进出口代理；组织商业或广告交易会；商业信息代理；半导体处理设备的推销(替他人)；半导体、晶片、集成电路的推销(替他人)；通过互联网推销(替他人)；通过互联网替他人推销商品；市场分析；数据通讯网络上的在线广告 | 查看详情 |
| 6 | 8817980 |  |
华力 | 2010-11-08 | 半导体定制;集成电路定制;定做材料装配(替他人);半导体、晶片、集成电路的制造处理加工(替他人);半导体、晶片、集成电路的装配或封装加工(替他人);半导体、晶 | 查看详情 |
| 7 | 8817983 |  |
华力 | 2010-11-08 | 推销(替他人);进出口代理;组织商业或广告交易会;商业信息代理;半导体处理设备的推销(替他人);半导体、晶片、集成电路的推销(替他人);通过互联网推销(替他人 | 查看详情 |
| 8 | 8817984 |  |
HLMC | 2010-11-08 | 已录制的计算机程序(程序)；计算机软件(已录制)；半导体器件；晶片(锗片)；集成电路；晶片(硅片)；计算机用介面卡；微处理机；半导体元件及集成电路元件的测试电脑；光学品；半导体导电框(架)；电线连接物；集成电路卡；集成电路测试仪器；读出器(数据处理设备)；用于半导体晶圆处理设备之元件资料库进行资料存取用之半导体晶片；用于对集成电路设计元件及其生产技术之资料库存取用资料之半导体晶片；集成电路硅片；录有半导体晶片处理设备、元件及其生产技术之资料库的储存载体；录有设计集成电路制程、元件及电路应用软件程式之储存载体；提供集成电路程式设计用之电脑软件(已录制)；用于对半导体晶片处理设备之资料库进行设计与建置之电脑软件(已录制)；用于对集成电路设计元件及其生产技术之资料库进行设计与建置之电脑软件(已录制)；录有半导体晶片处理设备、元件及其生产技术之资料库的储存载体(磁碟、磁片、光碟、记忆体、磁卡)；光电器件；用于设计集成电路程序的计算机软件；插座及其他接触器；掩膜片；避光器(电) | 查看详情 |
| 9 | 8817986 |  |
华力 | 2010-11-08 | 晶片(锗片)；晶片(硅片)；光学品；用于半导体晶圆处理设备之元件资料库进行资料存取用之半导体晶片；用于对集成电路设计元件及其生产技术之资料库存取用资料之半导体晶片；集成电路硅片 | 查看详情 |
| 10 | 8817985 |  |
华力微 | 2010-11-08 | 已录制的计算机程序(程序)；计算机软件(已录制)；半导体器件；晶片(锗片)；集成电路；晶片(硅片)；计算机用介面卡；微处理机；半导体元件及集成电路元件的测试电脑；光学品；半导体导电框(架)；电线连接物；集成电路卡；集成电路测试仪器；读出器(数据处理设备)；用于半导体晶圆处理设备之元件资料库进行资料存取用之半导体晶片；用于对集成电路设计元件及其生产技术之资料库存取用资料之半导体晶片；集成电路硅片；录有半导体晶片处理设备、元件及其生产技术之资料库的储存载体；录有设计集成电路制程、元件及电路应用软件程式之储存载体；提供集成电路程式设计用之电脑软件(已录制)；用于对半导体晶片处理设备之资料库进行设计与建置之电脑软件(已录制)；用于对集成电路设计元件及其生产技术之资料库进行设计与建置之电脑软件(已录制)；录有半导体晶片处理设备、元件及其生产技术之资料库的储存载体(磁碟、磁片、光碟、记忆体、磁卡)；光电器件；用于设计集成电路程序的计算机软件；插座及其他接触器；掩膜片；避光器(电) | 查看详情 |
上海华力微电子有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103279354B | 设计规则检查文件的自动化产生方法及产生器 | 2016.11.02 | 本发明提供了一种设计规则检查文件的自动化产生方法及产生器，通过总结设计规则检查文件在形式上的共性,建 |
| 2 | CN205669064U | 一种化学气相成膜装置 | 2016.11.02 | 一种化学气相成膜装置，包括：工艺腔本体，所述工艺腔本体内间隔设置基座，并在相邻基座之间的分隔板底侧设 |
| 3 | CN105977124A | 半导体衬底的承载台、离子注入设备及工艺 | 2016.09.28 | 本发明提出一种半导体设备的承载台、离子注入设备及离子注入工艺，用微波方式对半导体衬底进行加热，以改善 |
| 4 | CN105977195A | 一种快速降低热板温度的方法 | 2016.09.28 | 本发明公开了一种快速降低热板温度的方法，通过从上、下方向对热板表面同时进行冷却，可以使光刻显影涂布机 |
| 5 | CN103943555B | 一种有源区制备方法 | 2016.11.02 | 本发明提供了一种有源区制备方法和半导体器件的制备方法，包括：首先，对晶圆的边缘区域进行等离子体处理， |
| 6 | CN106128977A | 通过检测边缘刻蚀速率均一性监控晶圆位置偏移的方法 | 2016.11.16 | 本发明提供了一种通过检测边缘刻蚀速率均一性监控晶圆位置偏移的方法，包括：第一步骤：将晶圆布置在干法刻 |
| 7 | CN106027039A | 一种锁定检测电路的验证电路 | 2016.10.12 | 一种锁定检测电路的验证电路，其由压控振荡器VCO、鉴频鉴相器及锁定检测电路组成，锁定检测电路包含在鉴 |
| 8 | CN106094423A | 一种光刻工艺优化方法 | 2016.11.09 | 本发明提供了光刻工艺优化方法，包括：选取特征数据；从特征数据中选择待优化的参数，生成相应的OPC模型 |
| 9 | CN106098538A | 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法 | 2016.11.09 | 一种降低半导体晶圆晶边金属扩散污染的方法，包括：步骤S1：通过晶边刻蚀技术设备，开发生长致密性氧化物 |
| 10 | CN106024677A | 防止工艺腔体排气管路逆流的系统 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种防止工艺腔体排气管路逆流的系统，包括工艺腔和将工艺腔内的气体排出的排气管路，排气管路 |
| 11 | CN106024664A | 一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法及系统 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种金属层膜厚堆叠模型校准的方法及系统，该方法基于准确的金属层化学机械研磨模型，在模型预 |
| 12 | CN106024699A | 一种自对准STI的制备方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种自对准STI的制备方法，通过采用炉管LPCVD工艺在浅沟槽内壁氧化层上再生长一层一定 |
| 13 | CN106206441A | 金属栅极的制备方法 | 2016.12.07 | 本发明的金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括具有第一伪栅极的第一区域和具有第二伪 |
| 14 | CN103579118B | 静态随机存储器之写入冗余度改善的方法 | 2016.11.02 | 一种静态随机存储器之写入冗余度改善的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2： |
| 15 | CN103872059B | P型沟道闪存器件及其制造方法 | 2016.08.31 | 一种P型沟道闪存器件之制造方法，包括：步骤S1：通过离子注入工艺形成N阱，并沉积遂穿氧化层、第一多晶 |
| 16 | CN103646862B | CMOS器件栅氧化层的制造方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种CMOS器件栅氧化层的制造方法，包括在硅衬底上制备浅沟道隔离区、衬垫氧化层和硬掩膜， |
| 17 | CN103996602B | 一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法 | 2016.08.31 | 一种采用双侧墙工艺形成超低尺寸图形的方法，包括：形成具有第一特征尺寸的图形；接着在该图形上沉积一层薄 |
| 18 | CN103972049B | 晶圆回收方法 | 2016.08.31 | 本发明提供了一种晶圆回收方法，包括：提供一待回收晶圆；对所述待回收晶圆执行第一次湿法清洗；对所述待回 |
| 19 | CN103943625B | 一种NAND闪存器件及其制造方法 | 2016.08.31 | 本发明提供一种NAND闪存器件及其制造方法，通过采用单晶硅作为浮栅，在单晶硅浮栅上生长二氧化层作为I |
| 20 | CN103904002B | 一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法 | 2016.08.17 | 本发明提供了一种验证缺陷检测程序灵敏度的方法，涉及半导体检测工艺领域，适用于晶圆缺陷的光学检测程序， |
| 21 | CN103400045B | 计算干氧扩散反应参数的方法 | 2016.08.10 | 本发明提出一种计算干氧扩散工艺参数的方法，计算出栅氧化层的模拟厚度，不断完善和修改初始工艺参数，得到 |
| 22 | CN105763040A | 一种提高电荷泵驱动能力的电路 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种提高电荷泵驱动能力的电路，包括电压分压电路、比较器、稳压器、振荡器以及电荷泵，该电荷 |
| 23 | CN105810568A | 减少零层对准光罩使用的方法 | 2016.07.27 | 一种减少零层对准光罩使用的方法，包括：生长垫氧层和氮化硅层，在氮化硅层上布置第一光阻层，在第一光阻层 |
| 24 | CN105810613A | 高电流注入机台监控方法 | 2016.07.27 | 本发明提供了一种高电流注入机台监控方法，包括：在裸晶上形成一层氧化层；量测氧化层的膜厚；判断膜厚的均 |
| 25 | CN105810544A | 离子注入设备的冷却单元 | 2016.07.27 | 本发明提供一种离子注入设备的冷却单元，用于在对半导体衬底和衬底托盘进行冷却，包括：热交换单元、第一管 |
| 26 | CN103646892B | 离子注入角度监控方法 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种离子注入角度监控方法，包含提供一晶片；利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂 |
| 27 | CN103278763B | 芯片的FT测试板系统和测试方法 | 2016.06.22 | 本发明提供了一种芯片的FT测试板系统和测试方法，所述芯片的FT测试板系统包括互相独立的一块信号模块板 |
| 28 | CN105957818A | 化学机械研磨工艺模型校准验证流程中薄膜厚度引入方法 | 2016.09.21 | 一种化学机械研磨工艺模型校准验证流程中薄膜厚度引入方法包括：沟槽刻蚀；测量晶片表面相距与晶片表面齐平 |
| 29 | CN106056464A | 硅片批次管理方法及系统 | 2016.10.26 | 本发明的硅片批次管理方法及系统，应用于在硅片的处理流程中，包括：设定聚集规则和流程聚集等级；流程聚集 |
| 30 | CN105810664A | 测试金属线的电迁移结构 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种测试金属线的电迁移结构，包括测试金属线以及位于所述测试金属线同层、且均匀间隔分布设置 |
| 31 | CN103633106B | CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法 | 2016.06.29 | 本发明提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀 |
| 32 | CN105954596A | 一种用于小电容失配检测及绝对值测量的电路及方法 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种用于小电容失配及绝对值测量的电路及其测量方法，该电路包括：环形振荡器，包括n个相同串 |
| 33 | CN106128951A | 改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法 | 2016.11.16 | 一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，包括：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、 |
| 34 | CN106226134A | 制备透射电子显微镜样品的方法 | 2016.12.14 | 本发明提供了一种制备透射电子显微镜样品的方法，包括：第一步骤：利用聚焦离子束对需要制备的芯片样品进行 |
| 35 | CN106252253A | 一种测试有源区顶部圆滑度的方法 | 2016.12.21 | 本发明提供了一种测试有源区顶部圆滑度的方法，包括：测量浅沟槽隔离刻蚀完成后的有源区上部残留硬质掩模层 |
| 36 | CN106252283A | 金属栅极的制备方法 | 2016.12.21 | 本发明提供一种金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底表面具有伪栅极、围绕伪栅极的侧墙及 |
| 37 | CN105675929A | 一种兼容不同规格之探针的探针卡 | 2016.06.15 | 一种兼容不同规格之探针的探针卡，包括：基板，基板上间隔设置用于与外界测试仪器电连接的电导体，电导体之 |
| 38 | CN103646885B | 一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法 | 2016.06.08 | 本发明涉及大规模集成电路制造领域，尤其涉及一种减小电子显微镜观察晶圆缺陷误差的方法，通过该将晶圆参数 |
| 39 | CN103871860B | 双层栅介质层结构及其制备方法 | 2016.08.31 | 本发明提出了一种双层栅介质层结构及其制备方法，在半导体基底表面形成带隙和能带组合与二氧化硅均相似的界 |
| 40 | CN103915367B | 刻蚀清洗工艺中的硅片搬送方法及设备 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种刻蚀清洗工艺中的硅片搬送方法及设备。刻蚀清洗工艺中的硅片搬送方法包括：装载盒输送机械 |
| 41 | CN103646897B | 铝薄膜工艺晶须缺陷的监控方法 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种对铝薄膜工艺中晶须缺陷进行实时监控的方法，包括在铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进 |
| 42 | CN105702564A | 一种改善晶圆翘曲度的方法 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，通过先在晶圆上沉积应力薄膜，然后通过光刻工艺对晶圆进行图形化， |
| 43 | CN103489769B | 制作高均匀度栅极线条的方法 | 2016.09.07 | 一种制作高均匀度栅极线条的方法，包括：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜 |
| 44 | CN103887198B | 对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法，半导体领域。该方法为：根据器件线宽获得待扫描的存 |
| 45 | CN103872023B | 层间介质层性能的测试结构和测试方法 | 2016.10.26 | 本发明提出了一种层间介质层性能的测试结构和测试方法，在栅极正上方形成用于收集由等离子体带来的电荷，并 |
| 46 | CN105653828A | 针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法 | 2016.06.08 | 本发明提供了一种针对版图设计数据改版的光刻工艺的友善性检查方法，包括：准备版图设计数据；执行版图设计 |
| 47 | CN105742289A | 闪存结构 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种闪存结构，包括：圆柱体N型硅结构、分别包裹在所述圆柱体N型硅结构的两端的P型源端区域 |
| 48 | CN105911339A | MOS管阈值电压分布的测量系统及测量方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种MOS管阈值电压分布的测量系统，包括由多个测量单元并联构成的测量单元阵列以及处理单元 |
| 49 | CN103605092B | WAT测试系统及测试方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种WAT测试系统，通过在现有的WAT测试系统中增加查找模块和显示模块，在利用测试模块对 |
| 50 | CN106024758A | 多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法 | 2016.10.12 | 本发明提供了一种多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法，用于在多晶硅栅极薄膜结构进行工艺时对半导体设备进行 |
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